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台积电购EUV极紫外光刻机 用于300mm晶圆10nm工艺

元器件交易网讯 11月27日消息 光刻系统供应商荷兰ASML近日宣布,台积电已经订购了两台量产型的NXE:3350B EUV极紫外光刻机,将在明年交付使用。具体报价没有公布,但据称应该接近1亿美元。

另外,台积电此前已经购买的两台NXE:3300B也将在ASML的协助下,升级到与NXE:3350B相同的水平。

同样是ASML EUV光刻机客户的Intel(还有IBM、三星)认为合理价格应在2000万美元左右。

据了解,台积电购买的EUV极紫外光刻机初期将用于300毫米晶圆、10nm工艺,未来还会考虑导入到450毫米晶圆上(目前只有Intel做出来了)。

今年第三季度,台积电在EUV上的晶圆曝光速度已经达到每天600块,如果顺利的话2016年可达1500块每天。

台积电的10nm工艺虽然还在理论研究阶段,但已经有10多家客户基于它进行了产品设计,涉及手机基带、GPU、服务器、游戏机、FPGA等等,预计2015年下半年就会有客户完成流片,2015年底试产,2016年底或者2017年量产。

聚沙彩票开户按照台积电董事长张忠谋的说法,10nm可以比16nm FinFET工艺带来25%的性能提升、45%的功耗下降、120%的栅极密度增加。

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责任编辑:李军
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